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Features: | Rugged and Reliable | Type: | BSS138K N-Channel |
---|---|---|---|
Material: | Silicon | Package: | SOT-23 |
Drain-Source Voltage: | 50V | 연속 드레인 전류: | 0.22A |
Power Dissipation: | 0.35W | MPQ: | 3000PCS |
하이 라이트: | 실리콘 저전압 MOSFET,0.35W BSS138K,견고한 저전압 MOSFET |
매개변수 | 상징 | 한계 | 단위 | ||||||||||
드레인 소스 전압 | VDS | 50 | V | ||||||||||
게이트 소스 전압 | VGS | ±20 | V | ||||||||||
드레인 전류-연속 | NSNS | 0.22 | NS | ||||||||||
드레인 전류 펄스 (메모 1) | NS디엠 | 0.88 | NS | ||||||||||
최대 전력 손실 | NSNS | 0.35 | 여 | ||||||||||
작동 접합부 및 보관 온도 범위 | NS제이,NSSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
매개변수 | 상징 | 상태 | 분 | 보통 | 최대 | 단위 | |||||||
꺼짐 특성 | |||||||||||||
드레인 소스 항복 전압 | BVDSS | VGS=0V 나NS=250μA | 50 | 65 | - | V | |||||||
제로 게이트 전압 드레인 전류 | NSDSS | VDS=50V,VGS=0V | - | - | 1 | μA | |||||||
게이트 본체 누설 전류 | NSGSS | VGS=±10V,VDS=0V | - | ±110 | ±500 | 해당 없음 | |||||||
VGS=±12V,VDS=0V | - | ±0.3 | ±10 | UA | |||||||||
특성에 대하여 (메모 삼) | |||||||||||||
게이트 임계 전압 | VGS(일) | VDS=VGS,NSNS=250μA | 0.6 | 1.1 | 1.6 | V | |||||||
드레인 소스 온 상태 저항 | NSDS(ON) | VGS=5V, 나NS=0.2A | - | 1.3 | 삼 | Ω | |||||||
VGS=10V, 나NS=0.22A | - | 1 | 2 | Ω | |||||||||
순방향 트랜스컨덕턴스 | NSFS | VDS=10V, 나NS=0.2A | 0.2 | - | - | NS | |||||||
동적 특성 (주4) | |||||||||||||
입력 커패시턴스 | 씨lss | VDS=25V,VGS=0V, F=1.0MHz | - | 30 | - | PF | |||||||
출력 커패시턴스 | 씨오스 | - | 15 | - | PF | ||||||||
역전사 커패시턴스 | 씨RSS | - | 6 | - | PF | ||||||||
스위칭 특성 (메모 4) | |||||||||||||
켜기 지연 시간 | NS두목) | VDD=30V, 나NS=0.22AVGS=10V,R젠=6Ω | - | - | 5 | 엔에스 | |||||||
켜기 상승 시간 | NSNS | - | - | 5 | 엔에스 | ||||||||
끄기 지연 시간 | NS벗다) | - | - | 60 | 엔에스 | ||||||||
턴오프 하강 시간 | NSNS | - | - | 35 | 엔에스 | ||||||||
총 게이트 요금 | NSNS | VDS=25V, 나NS=0.2A, VGS=10V |
- | - | 2.4 | 체크 안함 | |||||||
드레인 소스 다이오드 특성 | |||||||||||||
다이오드 순방향 전압 (메모 삼) | VSD | VGS=0V, 나NS=0.22A | - | - | 1.3 | V | |||||||
다이오드 순방향 전류 (메모 2) | NSNS | - | - | 0.22 | NS |